華為新機芯片 爭取技術追趕時間

華為推出新旗艦手機Mate 60 Pro，引起廣泛關注，眾所周知，美國針對高端芯片技術，對中國實施重重制裁，惟Mate 60 Pro意外搭載7納米芯片，反映中國在技術封鎖下，仍然能夠取得進步，具重大象徵意義。然而，中美科技戰正酣，中方取得突破後，幾乎可以肯定，美方必然會出手，至於如何出手，或可從美國各界對事件的研判取得啟示。

量產7納米芯 屬進化性非革命

中方芯片取得突破，第一時間當然要搞清楚，半導體研究公司TechInsights馬上將華為的新機拆件，進行研究，認為手機使用了中芯國際的新型麒麟9000s芯片，採用中芯國際的7納米技術。然而，中芯國際有7納米技術本身，對美國來講並非特別驚奇，外媒去年已公開報道，中芯國際掌握將兩層14納米芯片疊起來，去達到7納米效能的技術。

製造芯片所使用的光刻機更新迭代，最尖端的極紫外（EUV）光刻機，其荷蘭廠商已應美國要求進行封殺，中方無法取得EUV，只能用次一級的深紫外（DUV）光刻機。正常來講，製作7納米芯片，需使用EUV，中方沒有EUV下如何製造7納米芯？這正正是中方突破關鍵所在。

DUV雖然較舊，但專家指出，如果全力催谷，將其性能發揮到淋漓盡致，仍然可以達到7納米。《華盛頓郵報》對此有貼切易理解的比喻，指就好比強力的噴射式引擎被禁，飛機製造商於是加多幾個引擎，谷高推進力，達至同樣的速度。

台灣中央研究院院士林本堅表示，在無法取得EUV的設備下，可利用多重曝光技術，理論上可達到5納米，但實際極限為7納米，但良率較低，推高製造成本。

事實上，台積電（TSMC）早期的7納米芯片生產，正是使用DUV設備，後來光刻機進步，改用EUV。因此，《華郵》評價今次中方的突破，屬進化性質（evolutionary），未去到革命性（revolutionary）。

值得關注的其實不僅芯片，還有中方能否在製造光刻機的技術上取得突破。綜觀英語世界分析，較多認為中方是透過催谷DUV來突破，而非在EUV技術上突破，前者有極限，頂多是7納米，不能推進，潛力已開發殆盡。

美制裁勢加碼 京力爭再破圍堵

不少外媒都提到，DUV能夠製造7納米芯片是外界一早知道的事實，另一方面，美國顯然是有意識地容許中方買DUV。

荷蘭的半導體出口管制措施已在9月1日生效，ASML仍然獲批繼續向中國客戶交付DUV設備，結合中國近年積極購買DUV，今次能夠大量生產7納米芯片，Mate 60 Pro出貨量至少1,200萬部，美方不應感到特別意外，換言之，從美國角度出發，似乎不應視為制裁出現漏洞。

當然，到了美國國會議員口中，則變了另一回事，所有事情都會走樣，眾議院「中國問題特別委員會」主席、共和黨議員加拉格爾（Mike Gallagher）指中芯違反了制裁，要求美國商務部，停止向華為和中芯國際出口所有技術。

無論如何，中美在半導體技術發展上，圍堵與反圍堵的角力，不會停止。美國在有關政策上不可能改弦易轍，除非中方明顯落敗，否則美國制裁只會加碼。要在芯片上擺脫美國自主無疑困難，惟中方今次成功量產7納米芯片，突破圍堵總算向前走出了一步，為華企技術追趕爭取到了一些時間。